Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
DIODE GEN PURP 600V 6A TO251
Status da Peça :
Obsolete
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Atual - Média Retificada (Io) :
6A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.5V @ 6A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
60ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
100µA @ 600V
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-251-2, IPak
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-251-2
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C