Microsemi Corporation - JAN1N5420

KEY Part #: K6441257

JAN1N5420 Preços (USD) [6604pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.94064
  • 10 pcs$5.34481
  • 25 pcs$4.86956
  • 100 pcs$4.39444
  • 250 pcs$4.03813
  • 500 pcs$3.68183

Número da peça:
JAN1N5420
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A FAST 600V HR
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5420 electronic components. JAN1N5420 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5420, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5420 Atributos do produto

Número da peça : JAN1N5420
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
Series : Military, MIL-PRF-19500/411
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 9A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 400ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : B, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : B, Axial
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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