Micron Technology Inc. - MT41K512M8V00HWC1

KEY Part #: K926410

MT41K512M8V00HWC1 Preços (USD) [9299pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.92703

Número da peça:
MT41K512M8V00HWC1
Fabricante:
Micron Technology Inc.
Descrição detalhada:
IC DRAM 4G PARALLEL DIE. DRAM DDR3 4G Die 512MX8
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Interface - Interfaces Sensor e Detector, Interface - UARTs (Transmissor Receptor Assíncrono, PMIC - Gestão de Energia - Especializada, Lógica - Contadores, Divisores, PMIC - Reguladores de tensão - Linear, Relógio / Timing - linhas de atraso, Interface - Telecom and Interface - Modems - ICs e Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT41K512M8V00HWC1 Atributos do produto

Número da peça : MT41K512M8V00HWC1
Fabricante : Micron Technology Inc.
Descrição : IC DRAM 4G PARALLEL DIE
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de memória : Volatile
Formato de memória : DRAM
Tecnologia : SDRAM - DDR3L
Tamanho da memória : 4Gb (512M x 8)
Freqüência do relógio : -
Escrever tempo de ciclo - Word, página : -
Tempo de acesso : -
Interface de memória : Parallel
Tensão - fonte : 1.283V ~ 1.45V
Temperatura de operação : 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montagem : -
Pacote / caso : -
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : -