MT41K512M8V00HWC1 Preços (USD) [9299pcs Estoque]
- 1 pcs$4.92703
- Número da peça:
- MT41K512M8V00HWC1
- Fabricante:
- Micron Technology Inc.
- Descrição detalhada:
- IC DRAM 4G PARALLEL DIE. DRAM DDR3 4G Die 512MX8
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Aquisição de Dados - Potenciômetros Digitais, Aquisição de Dados - Front End Analógico (AFE), Linear - Amplificadores - Finalidade Especial, Embutido - Microprocessadores, Lógica - Memória FIFOs, PMIC - OR Controladores, diodos ideais, Interface - Interruptores Analógicos - Propósito E and Embutido - DSP (Digital Signal Processors) ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Micron Technology Inc. MT41K512M8V00HWC1 electronic components. MT41K512M8V00HWC1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT41K512M8V00HWC1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MT41K512M8V00HWC1 Atributos do produto
Número da peça :
MT41K512M8V00HWC1
Fabricante :
Micron Technology Inc.
Descrição :
IC DRAM 4G PARALLEL DIE
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de memória :
Volatile
Formato de memória :
DRAM
Tecnologia :
SDRAM - DDR3L
Tamanho da memória :
4Gb (512M x 8)
Freqüência do relógio :
-
Escrever tempo de ciclo - Word, página :
-
Tempo de acesso :
-
Interface de memória :
Parallel
Tensão - fonte :
1.283V ~ 1.45V
Temperatura de operação :
0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montagem :
-
Pacote / caso :
-
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
-
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