Vishay Semiconductor Diodes Division - GI751-E3/73

KEY Part #: K6447457

GI751-E3/73 Preços (USD) [203307pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.18193
  • 2,700 pcs$0.10736

Número da peça:
GI751-E3/73
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 100V 6A P600. Rectifiers 6 Amp 100 Volt 400 Amp IFSM
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GI751-E3/73 Atributos do produto

Número da peça : GI751-E3/73
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 100V 6A P600
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 6A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 6A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 2.5µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F : 150pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : P600, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : P600
Temperatura de funcionamento - junção : -50°C ~ 150°C

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