ON Semiconductor - NGTB25N120SWG

KEY Part #: K6423574

NGTB25N120SWG Preços (USD) [9606pcs Estoque]

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  • 10 pcs$1.89413
  • 100 pcs$1.55201
  • 500 pcs$1.32120
  • 1,000 pcs$1.05712

Número da peça:
NGTB25N120SWG
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 25A 1200V TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NGTB25N120SWG Atributos do produto

Número da peça : NGTB25N120SWG
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 25A 1200V TO-247
Series : -
Status da Peça : Last Time Buy
Tipo IGBT : Trench
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 50A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 100A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 25A
Potência - Max : 385W
Energia de comutação : 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 178nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 87ns/179ns
Condição de teste : 600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 154ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-3