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  5. APTM120A20DG

Microsemi Corporation - APTM120A20DG

KEY Part #: K6522669

APTM120A20DG Preços (USD) [579pcs Estoque]

  • 1 pcs$80.49067
  • 100 pcs$80.09022
Número da peça:
APTM120A20DG
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF, Tiristores - TRIACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation APTM120A20DG electronic components. APTM120A20DG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120A20DG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120A20DG Atributos do produto

Número da peça : APTM120A20DG
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 6mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 600nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 15200pF @ 25V
Potência - Max : 1250W
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : SP6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP6

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