[4453pcs Estoque]
- Número da peça:
- RN1962FE(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
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RN1962FE(TE85L,F) Atributos do produto
Número da peça :
RN1962FE(TE85L,F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo de transistor :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
100mA
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
50V
Resistor - Base (R1) :
10 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2) :
10 kOhms
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
50 @ 10mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - corte de coletor (máx.) :
100nA (ICBO)
Freqüência - Transição :
250MHz
Potência - Max :
100mW
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SOT-563, SOT-666
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ES6
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