Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrição :
DIODE GEN PURP 200V 6A DO4
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
200V
Atual - Média Retificada (Io) :
6A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.4V @ 6A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
200ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
15µA @ 50V
Tipo de montagem :
Chassis, Stud Mount
Pacote / caso :
DO-203AA, DO-4, Stud
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-4
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 150°C