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  5. MBR2X080A120

GeneSiC Semiconductor - MBR2X080A120

KEY Part #: K6468635

MBR2X080A120 Preços (USD) [3020pcs Estoque]

  • 1 pcs$14.34242
  • 40 pcs$8.96231
Número da peça:
MBR2X080A120
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 120V 80A SOT227. Schottky Diodes & Rectifiers 120V 160A Fwd Schottky
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR2X080A120 electronic components. MBR2X080A120 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR2X080A120, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR2X080A120 Atributos do produto

Número da peça : MBR2X080A120
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 120V 80A SOT227
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 2 Independent
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 120V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 80A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 880mV @ 80A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 3mA @ 120V
Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : SOT-227-4, miniBLOC
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-227
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