Taiwan Semiconductor Corporation - ESH3D V7G

KEY Part #: K6426709

ESH3D V7G Preços (USD) [633613pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.05838

Número da peça:
ESH3D V7G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB. Rectifiers 25ns 3A 200V UlFst Recov Rectifier
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ESH3D V7G Atributos do produto

Número da peça : ESH3D V7G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Atual - Média Retificada (Io) : 3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : -
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 20ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AB, SMC
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C

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