BAS116QAZ Preços (USD) [1791598pcs Estoque]
- 1 pcs$0.02065
- 5,000 pcs$0.01927
- 10,000 pcs$0.01638
- 25,000 pcs$0.01542
- 50,000 pcs$0.01445
- 125,000 pcs$0.01285
- Número da peça:
- BAS116QAZ
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 75V 300MA 3DFN. Diodes - General Purpose, Power, Switching BAS116QA/DFN1010D-3/REEL 7" Q2
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Nexperia USA Inc. BAS116QAZ electronic components. BAS116QAZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS116QAZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS116QAZ Atributos do produto
Número da peça :
BAS116QAZ
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
DIODE GEN PURP 75V 300MA 3DFN
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
75V
Atual - Média Retificada (Io) :
300mA (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 150mA
Rapidez :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
3µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
5nA @ 75V
Capacitância @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
3-XDFN Exposed Pad
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DFN1010D-3
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
Últimas notícias
Você também pode estar interessado em
-
MBRD6100CT-TP
Micro Commercial Co
6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER
-
RHRD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode
-
BYM10-800-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
Peças Quentes
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08