Toshiba Semiconductor and Storage - RN1961FE(TE85L,F)

KEY Part #: K6529784

[2050pcs Estoque]


    Número da peça:
    RN1961FE(TE85L,F)
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN1961FE(TE85L,F) electronic components. RN1961FE(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1961FE(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN1961FE(TE85L,F) Atributos do produto

    Número da peça : RN1961FE(TE85L,F)
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo de transistor : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 100mA
    Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 50V
    Resistor - Base (R1) : 4.7 kOhms
    Resistor - Base do Emissor (R2) : 4.7 kOhms
    Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 30 @ 10mA, 5V
    Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
    Corrente - corte de coletor (máx.) : 100nA (ICBO)
    Freqüência - Transição : 250MHz
    Potência - Max : 100mW
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : SOT-563, SOT-666
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ES6

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