MURT10060R Preços (USD) [1067pcs Estoque]
- 1 pcs$40.55691
- 50 pcs$27.12140
- Número da peça:
- MURT10060R
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrição detalhada:
- DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Propósito Específico and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in GeneSiC Semiconductor MURT10060R electronic components. MURT10060R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURT10060R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MURT10060R Atributos do produto
Número da peça :
MURT10060R
Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrição :
DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Series :
-
Status da Peça :
Active
Configuração de diodo :
-
Tipo de Diodo :
Standard, Reverse Polarity
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) :
100A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 100A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
75ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
25µA @ 50V
Temperatura de funcionamento - junção :
-40°C ~ 175°C
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Three Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Three Tower
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- BAT74,235
- BAS16SH6727XTSA1