RN1911FETE85LF Preços (USD) [2408483pcs Estoque]
- 1 pcs$0.01543
- 4,000 pcs$0.01536
- Número da peça:
- RN1911FETE85LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - RF and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
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RN1911FETE85LF Atributos do produto
Número da peça :
RN1911FETE85LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de transistor :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
100mA
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
50V
Resistor - Base (R1) :
10 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2) :
-
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
120 @ 1mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - corte de coletor (máx.) :
100nA (ICBO)
Freqüência - Transição :
250MHz
Potência - Max :
100mW
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SOT-563, SOT-666
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ES6
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