SQ1912EH-T1_GE3 Preços (USD) [610452pcs Estoque]
- 1 pcs$0.06059
- 3,000 pcs$0.05168
- Número da peça:
- SQ1912EH-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SQ1912EH-T1_GE3 electronic components. SQ1912EH-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ1912EH-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQ1912EH-T1_GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SQ1912EH-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
280 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
1.15nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
75pF @ 10V
Potência - Max :
1.5W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SC-70-6
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