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GeneSiC Semiconductor - MURTA200120R

KEY Part #: K6468687

MURTA200120R Preços (USD) [893pcs Estoque]

  • 1 pcs$52.02314
  • 18 pcs$36.55488
Número da peça:
MURTA200120R
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER. Rectifiers 1200V 200A Si Super Fast Recovery
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MURTA200120R electronic components. MURTA200120R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURTA200120R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA200120R Atributos do produto

Número da peça : MURTA200120R
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Anode
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 100A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 2.6V @ 100A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 25µA @ 1200V
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Three Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Three Tower
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