Vishay Semiconductor Diodes Division - RGF1JHE3/5CA

KEY Part #: K6457445

RGF1JHE3/5CA Preços (USD) [506068pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.07309
  • 6,500 pcs$0.06624

Número da peça:
RGF1JHE3/5CA
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGF1JHE3/5CA Atributos do produto

Número da peça : RGF1JHE3/5CA
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA
Series : SUPERECTIFIER®
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 250ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : 8.5pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214BA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214BA (GF1)
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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