Toshiba Semiconductor and Storage - RN1309(TE85L,F)

KEY Part #: K6526845

[3028pcs Estoque]


    Número da peça:
    RN1309(TE85L,F)
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - IGBTs - Módulos ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN1309(TE85L,F) electronic components. RN1309(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1309(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN1309(TE85L,F) Atributos do produto

    Número da peça : RN1309(TE85L,F)
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
    Series : -
    Status da Peça : Active
    Tipo de transistor : NPN - Pre-Biased
    Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 100mA
    Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 50V
    Resistor - Base (R1) : 47 kOhms
    Resistor - Base do Emissor (R2) : 22 kOhms
    Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 70 @ 10mA, 5V
    Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
    Corrente - corte de coletor (máx.) : 500nA
    Freqüência - Transição : 250MHz
    Potência - Max : 100mW
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : SC-70, SOT-323
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : USM

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