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  5. 1N649-1

Microsemi Corporation - 1N649-1

KEY Part #: K6442277

1N649-1 Preços (USD) [23205pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.99637
  • 10 pcs$1.78175
  • 25 pcs$1.60344
  • 100 pcs$1.46088
  • 250 pcs$1.31833
  • 500 pcs$1.18294
  • 1,000 pcs$0.94649
Número da peça:
1N649-1
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation 1N649-1 electronic components. 1N649-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N649-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N649-1 Atributos do produto

Número da peça : 1N649-1
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 400mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1V @ 400mA
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 50nA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : DO-204AH, DO-35, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-35
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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