[14155pcs Estoque]
- Número da peça:
- FQP7N80
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - JFETs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQP7N80 electronic components. FQP7N80 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQP7N80, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQP7N80 Atributos do produto
Número da peça :
FQP7N80
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
Series :
QFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
52nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1850pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
167W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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