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  5. MBR120200CT

GeneSiC Semiconductor - MBR120200CT

KEY Part #: K6468696

MBR120200CT Preços (USD) [1424pcs Estoque]

  • 1 pcs$30.41954
  • 25 pcs$22.79770
Número da peça:
MBR120200CT
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 200V 60A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 200V 120A Forward
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR120200CT electronic components. MBR120200CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR120200CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR120200CT Atributos do produto

Número da peça : MBR120200CT
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 200V 60A 2 TOWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Cathode
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 60A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 920mV @ 60A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1mA @ 200V
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Twin Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Twin Tower
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