Toshiba Semiconductor and Storage - RN1902FE,LF(CT

KEY Part #: K6529589

RN1902FE,LF(CT Preços (USD) [1436579pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.02588
  • 4,000 pcs$0.02575

Número da peça:
RN1902FE,LF(CT
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN1902FE,LF(CT Atributos do produto

Número da peça : RN1902FE,LF(CT
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de transistor : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 100mA
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 50V
Resistor - Base (R1) : 10 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2) : 1 kOhms
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 30 @ 10mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - corte de coletor (máx.) : 100nA (ICBO)
Freqüência - Transição : 250MHz
Potência - Max : 100mW
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SOT-563, SOT-666
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ES6

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