STMicroelectronics - STGB30H60DFB

KEY Part #: K6422333

STGB30H60DFB Preços (USD) [65490pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.59705
  • 1,000 pcs$0.53350

Número da peça:
STGB30H60DFB
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT HB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGB30H60DFB Atributos do produto

Número da peça : STGB30H60DFB
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT HB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 60A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 120A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 30A
Potência - Max : 260W
Energia de comutação : 383µJ (on), 293µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 149nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 37ns/146ns
Condição de teste : 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 53ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK