Número da peça :
GSID100A120T2C1A
Fabricante :
Global Power Technologies Group
Descrição :
SILICON IGBT MODULES
Configuração :
Three Phase Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
200A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 100A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
1mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
13.7nF @ 25V
Entrada :
Three Phase Bridge Rectifier
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module