STH160N4LF6-2 Preços (USD) [3077pcs Estoque]
- 1,000 pcs$0.33623
- Número da peça:
- STH160N4LF6-2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
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- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Transistores - JFETs and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
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STH160N4LF6-2 Atributos do produto
Número da peça :
STH160N4LF6-2
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Series :
DeepGATE™, STripFET™ VI
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.2 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
181nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
8130pF @ 20V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
150W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
H2Pak-2
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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