Vishay Semiconductor Diodes Division - UGF8JT-E3/45

KEY Part #: K6455882

UGF8JT-E3/45 Preços (USD) [53747pcs Estoque]

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Número da peça:
UGF8JT-E3/45
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC. Rectifiers 600 Volt 8.0A 25ns 100 Amp IFSM
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UGF8JT-E3/45 Atributos do produto

Número da peça : UGF8JT-E3/45
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 8A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.75V @ 8A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 30µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ITO-220AC
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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