Infineon Technologies - IGC07T120T8LX1SA2

KEY Part #: K6421785

IGC07T120T8LX1SA2 Preços (USD) [54689pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.71495

Número da peça:
IGC07T120T8LX1SA2
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 4A SAWN ON FOIL.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IGC07T120T8LX1SA2 Atributos do produto

Número da peça : IGC07T120T8LX1SA2
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT 1200V 4A SAWN ON FOIL
Series : TrenchStop™
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : -
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 12A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.02V @ 15V, 4A
Potência - Max : -
Energia de comutação : -
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : -
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : -
Condição de teste : -
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die