Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-6ESH02-M3/86A

KEY Part #: K6444642

VS-6ESH02-M3/86A Preços (USD) [323244pcs Estoque]

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Número da peça:
VS-6ESH02-M3/86A
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 6A 200V
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-6ESH02-M3/86A Atributos do produto

Número da peça : VS-6ESH02-M3/86A
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A
Series : FRED Pt®
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Atual - Média Retificada (Io) : 6A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 940mV @ 6A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 22ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 2µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-277, 3-PowerDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-277A (SMPC)
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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