Número da peça :
MUR360SB M4G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição :
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Atual - Média Retificada (Io) :
3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 3A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F :
40pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-214AA, SMB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 175°C