Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB200TH120U

KEY Part #: K6533216

VS-GB200TH120U Preços (USD) [197pcs Estoque]

  • 1 pcs$234.46046
  • 12 pcs$216.03837

Número da peça:
VS-GB200TH120U
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB200TH120U Atributos do produto

Número da peça : VS-GB200TH120U
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : -
Configuração : Half Bridge
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 330A
Potência - Max : 1316W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 3.6V @ 15V, 200A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 5mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 16.9nF @ 30V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Double INT-A-PAK (3 + 4)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Double INT-A-PAK

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