ON Semiconductor - MUN5112DW1T1G

KEY Part #: K6530200

[82431pcs Estoque]


    Número da peça:
    MUN5112DW1T1G
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor MUN5112DW1T1G electronic components. MUN5112DW1T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUN5112DW1T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MUN5112DW1T1G Atributos do produto

    Número da peça : MUN5112DW1T1G
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo de transistor : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 100mA
    Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 50V
    Resistor - Base (R1) : 22 kOhms
    Resistor - Base do Emissor (R2) : 22 kOhms
    Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 60 @ 5mA, 10V
    Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
    Corrente - corte de coletor (máx.) : 500nA
    Freqüência - Transição : -
    Potência - Max : 250mW
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SC-88/SC70-6/SOT-363

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