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  5. CDBJFSC101200-G

Comchip Technology - CDBJFSC101200-G

KEY Part #: K6441860

CDBJFSC101200-G Preços (USD) [7665pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.37654
Número da peça:
CDBJFSC101200-G
Fabricante:
Comchip Technology
Descrição detalhada:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 1200V
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Comchip Technology CDBJFSC101200-G electronic components. CDBJFSC101200-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBJFSC101200-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBJFSC101200-G Atributos do produto

Número da peça : CDBJFSC101200-G
Fabricante : Comchip Technology
Descrição : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Atual - Média Retificada (Io) : 10A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 10A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F : 780pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-220-2 Full Pack
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220F
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C

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