Toshiba Memory America, Inc. - TH58BVG2S3HBAI4

KEY Part #: K934697

TH58BVG2S3HBAI4 Preços (USD) [13416pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.41542

Número da peça:
TH58BVG2S3HBAI4
Fabricante:
Toshiba Memory America, Inc.
Descrição detalhada:
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: PMIC - Gerenciamento de Bateria, Incorporado - CPLDs (Complex Logic Devices Program, Interface - Interruptores Analógicos - Propósito E, Interface - Sensor, toque capacitivo, Embutido - Microcontroladores, Relógio / Tempo - Específico da Aplicação, Embutido - Microprocessadores and Interface - CODECs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58BVG2S3HBAI4 Atributos do produto

Número da peça : TH58BVG2S3HBAI4
Fabricante : Toshiba Memory America, Inc.
Descrição : 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE
Series : Benand™
Status da Peça : Active
Tipo de memória : Non-Volatile
Formato de memória : FLASH
Tecnologia : FLASH - NAND (SLC)
Tamanho da memória : 4Gb (512M x 8)
Freqüência do relógio : -
Escrever tempo de ciclo - Word, página : 25ns
Tempo de acesso : -
Interface de memória : -
Tensão - fonte : 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de operação : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 63-VFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 63-TFBGA (9x11)