Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10J/TR

KEY Part #: K6425843

BYG10J/TR Preços (USD) [822672pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04496
  • 7,200 pcs$0.04158

Número da peça:
BYG10J/TR
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10J/TR Atributos do produto

Número da peça : BYG10J/TR
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Avalanche
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 1.5A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.15V @ 1.5A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 4µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AC, SMA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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