APT50GF120JRDQ3 Preços (USD) [1383pcs Estoque]
- 1 pcs$31.30055
- 10 pcs$29.45800
- 25 pcs$27.61676
- 100 pcs$26.32800
- Número da peça:
- APT50GF120JRDQ3
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- IGBT 1200V 120A 521W SOT227.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
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APT50GF120JRDQ3 Atributos do produto
Número da peça :
APT50GF120JRDQ3
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
IGBT 1200V 120A 521W SOT227
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
NPT
Configuração :
Single
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
120A
Potência - Max :
521W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
3V @ 15V, 75A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
750µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
5.32nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
ISOTOP
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ISOTOP®
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