ON Semiconductor - MBR830MFST1G

KEY Part #: K6444644

MBR830MFST1G Preços (USD) [295205pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.12529
  • 3,000 pcs$0.11923

Número da peça:
MBR830MFST1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 30V 8A 5DFN. Schottky Diodes & Rectifiers 8.0 A, 30 V SCHOTTKY DIOD
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in ON Semiconductor MBR830MFST1G electronic components. MBR830MFST1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR830MFST1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR830MFST1G Atributos do produto

Número da peça : MBR830MFST1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 30V 8A 5DFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 30V
Atual - Média Retificada (Io) : 8A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 700mV @ 8A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 200µA @ 30V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerTDFN, 5 Leads
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 150°C

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