Toshiba Memory America, Inc. - TH58BYG3S0HBAI6

KEY Part #: K925116

TH58BYG3S0HBAI6 Preços (USD) [8751pcs Estoque]

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Número da peça:
TH58BYG3S0HBAI6
Fabricante:
Toshiba Memory America, Inc.
Descrição detalhada:
8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V. NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: PMIC - Drivers de Vídeo, PMIC - OR Controladores, diodos ideais, Memória - Baterias, Interface - codificadores, decodificadores, conver, PMIC - Drivers completos, com meia ponte, Lógica - Memória FIFOs, Interface - Serializadores, Deserializadores and Lógica - Lógica Especializada ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58BYG3S0HBAI6 Atributos do produto

Número da peça : TH58BYG3S0HBAI6
Fabricante : Toshiba Memory America, Inc.
Descrição : 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
Series : Benand™
Status da Peça : Active
Tipo de memória : Non-Volatile
Formato de memória : FLASH
Tecnologia : FLASH - NAND (SLC)
Tamanho da memória : 8Gb (1G x 8)
Freqüência do relógio : -
Escrever tempo de ciclo - Word, página : 25ns
Tempo de acesso : -
Interface de memória : -
Tensão - fonte : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de operação : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : -
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 67-VFBGA (6.5x8)