Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC
Tipo de lógica :
NAND Gate
Características :
Open Drain
Corrente - Quiescente (Max) :
1µA
Corrente - Saída Alta, Baixa :
-, 5.2mA
Nível Lógico - Baixo :
0.5V ~ 1.8V
Nível Lógico - Alto :
1.5V ~ 4.2V
Atraso Máximo de Propagação @ V, Max CL :
13ns @ 6V, 50pF
Temperatura de operação :
-40°C ~ 125°C
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
14-SOIC
Pacote / caso :
14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)