Diodes Incorporated - DDTD114GC-7-F

KEY Part #: K6527250

DDTD114GC-7-F Preços (USD) [1557132pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.02375
  • 3,000 pcs$0.02201

Número da peça:
DDTD114GC-7-F
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DDTD114GC-7-F Atributos do produto

Número da peça : DDTD114GC-7-F
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de transistor : NPN - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 500mA
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 50V
Resistor - Base (R1) : -
Resistor - Base do Emissor (R2) : 10 kOhms
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 56 @ 50mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - corte de coletor (máx.) : 500nA (ICBO)
Freqüência - Transição : 200MHz
Potência - Max : 200mW
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3

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