1N4150W-HE3-18 Preços (USD) [2750629pcs Estoque]
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- Número da peça:
- 1N4150W-HE3-18
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4150W-HE3-18 electronic components. 1N4150W-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4150W-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4150W-HE3-18 Atributos do produto
Número da peça :
1N4150W-HE3-18
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
50V
Atual - Média Retificada (Io) :
200mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1V @ 200mA
Rapidez :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
4ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
100nA @ 50V
Capacitância @ Vr, F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SOD-123
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOD-123
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
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