Taiwan Semiconductor Corporation - S3JHM6G

KEY Part #: K6439769

S3JHM6G Preços (USD) [945711pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.03911

Número da peça:
S3JHM6G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S3JHM6G Atributos do produto

Número da peça : S3JHM6G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.15V @ 3A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 1.5µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AB, SMC
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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