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  5. TC58BYG0S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG0S3HBAI6

KEY Part #: K940865

TC58BYG0S3HBAI6 Preços (USD) [32393pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.92400
  • 10 pcs$0.83202
  • 25 pcs$0.81881
  • 50 pcs$0.81655
  • 100 pcs$0.72963
  • 250 pcs$0.70592
Número da peça:
TC58BYG0S3HBAI6
Fabricante:
Toshiba Memory America, Inc.
Descrição detalhada:
IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Interface - CODECs, Lógica - Contadores, Divisores, Relógio / Tempo - Específico da Aplicação, Interface - Síntese Digital Direta (DDS), PMIC - Switches de distribuição de energia, driver, PMIC - Drivers de Gate, Linear - Multiplicadores Analógicos, Divisores and Lógica - Geradores de Paridade e Damas ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG0S3HBAI6 electronic components. TC58BYG0S3HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BYG0S3HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG0S3HBAI6 Atributos do produto

Número da peça : TC58BYG0S3HBAI6
Fabricante : Toshiba Memory America, Inc.
Descrição : IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
Series : Benand™
Status da Peça : Active
Tipo de memória : Non-Volatile
Formato de memória : FLASH
Tecnologia : FLASH - NAND (SLC)
Tamanho da memória : 1Gb (128M x 8)
Freqüência do relógio : -
Escrever tempo de ciclo - Word, página : 25ns
Tempo de acesso : 25ns
Interface de memória : Parallel
Tensão - fonte : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de operação : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 67-VFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 67-VFBGA (6.5x8)

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