IXYS Integrated Circuits Division - IXDN602SIATR

KEY Part #: K1225649

IXDN602SIATR Preços (USD) [185683pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.23372
  • 2,000 pcs$0.23255

Número da peça:
IXDN602SIATR
Fabricante:
IXYS Integrated Circuits Division
Descrição detalhada:
2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN. Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Linear - Amplificadores - Instrumentação, Amplific, Relógio / Timing - Relógios em Tempo Real, Embutido - Microcontroladores - Específicos da Apl, PMIC - Reguladores de tensão - Reguladores de comu, Interface - Interfaces Sensor e Detector, Aquisição de Dados - Potenciômetros Digitais, Lógica - Multivibradores and PMIC - Conversores AC DC, Comutadores Offline ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXDN602SIATR Atributos do produto

Número da peça : IXDN602SIATR
Fabricante : IXYS Integrated Circuits Division
Descrição : 2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração Dirigida : Low-Side
Tipo de canal : Independent
Número de Drivers : 2
Tipo de portão : IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensão - fonte : 4.5V ~ 35V
Tensão Lógica - VIL, VIH : 0.8V, 3V
Corrente - Saída de pico (fonte, dissipador) : 2A, 2A
Tipo de entrada : Non-Inverting
Alta Tensão Lateral - Max (Bootstrap) : -
Tempo de subida / queda (Typ) : 7.5ns, 6.5ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOIC

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