Vishay Semiconductor Diodes Division - VF20120SG-E3/4W

KEY Part #: K6427435

VF20120SG-E3/4W Preços (USD) [150539pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.24570
  • 1,000 pcs$0.22369

Número da peça:
VF20120SG-E3/4W
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VF20120SG-E3/4W Atributos do produto

Número da peça : VF20120SG-E3/4W
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB
Series : TMBS®
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 120V
Atual - Média Retificada (Io) : 20A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.33V @ 20A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 250µA @ 120V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ITO-220AB
Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 150°C

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