Rohm Semiconductor - RFN2L6STE25

KEY Part #: K6457183

RFN2L6STE25 Preços (USD) [382530pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.11661
  • 1,500 pcs$0.11603

Número da peça:
RFN2L6STE25
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diodes
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Rohm Semiconductor RFN2L6STE25 electronic components. RFN2L6STE25 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFN2L6STE25, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFN2L6STE25 Atributos do produto

Número da peça : RFN2L6STE25
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 1.5A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.55V @ 1.5A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 35ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AC, SMA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PMDS
Temperatura de funcionamento - junção : 150°C (Max)

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