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  5. JANTXV1N5552US

Microsemi Corporation - JANTXV1N5552US

KEY Part #: K6433541

JANTXV1N5552US Preços (USD) [4931pcs Estoque]

  • 1 pcs$8.82883
  • 100 pcs$8.78491
Número da peça:
JANTXV1N5552US
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF. ESD Suppressors / TVS Diodes MIL, QPL PART, 3A 600V STANDARD RECT - SQ END CAPS
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5552US electronic components. JANTXV1N5552US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5552US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5552US Atributos do produto

Número da peça : JANTXV1N5552US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF
Series : Military, MIL-PRF-19500/420
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 9A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 2µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SQ-MELF, B
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-5B
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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