FP50R06W2E3B11BOMA1 Preços (USD) [1966pcs Estoque]
- 1 pcs$22.01818
- Número da peça:
- FP50R06W2E3B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- IGBT MODULE VCES 600V 50A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
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FP50R06W2E3B11BOMA1 Atributos do produto
Número da peça :
FP50R06W2E3B11BOMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
IGBT MODULE VCES 600V 50A
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Configuração :
Three Phase Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
65A
Potência - Max :
175W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 50A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
1mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
3.1nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
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