Número da peça :
APTGTQ200A65T3G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
POWER MODULE - IGBT
Configuração :
Half Bridge
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
200A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.2V @ 15V, 200A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
200µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
12nF @ 25V
Temperatura de operação :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SP3F