Microsemi Corporation - APT20GN60BDQ1G

KEY Part #: K6422137

APT20GN60BDQ1G Preços (USD) [25506pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.62395
  • 150 pcs$1.61587

Número da peça:
APT20GN60BDQ1G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
IGBT 600V 40A 136W TO247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT20GN60BDQ1G Atributos do produto

Número da peça : APT20GN60BDQ1G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : IGBT 600V 40A 136W TO247
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 40A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 60A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 20A
Potência - Max : 136W
Energia de comutação : 230µJ (on), 580µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 120nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 9ns/140ns
Condição de teste : 400V, 20A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 [B]

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