FESB16BT-E3/45 Preços (USD) [100029pcs Estoque]
- 1 pcs$0.39089
- 1,000 pcs$0.33510
- Número da peça:
- FESB16BT-E3/45
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 100 Volt 35ns
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FESB16BT-E3/45 electronic components. FESB16BT-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FESB16BT-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FESB16BT-E3/45 Atributos do produto
Número da peça :
FESB16BT-E3/45
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Atual - Média Retificada (Io) :
16A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
975mV @ 16A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
35ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F :
175pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263AB
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 150°C
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